Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 205 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージLFPAK, PSMN2R8-80SSFJ
- RS品番:
- 219-466
- メーカー型番:
- PSMN2R8-80SSFJ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 219-466
- メーカー型番:
- PSMN2R8-80SSFJ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 205A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | LFPAK | |
| シリーズ | PSM | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 341W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 143nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | Ha-free and RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 205A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 LFPAK | ||
シリーズ PSM | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 341W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 143nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 Ha-free and RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- MY
Nexperia NチャンネルMOSFETは175℃までの動作に適合し、産業用および民生用アプリケーションに最適です。主な用途には、AC-DCおよびDC-DCコンバーターにおける同期整流、一次側スイッチング、BLDCモーター制御、フルブリッジおよびハーフブリッジ回路、バッテリー保護などがある。
強力な雪崩エネルギー定格
アバランチ定格、100%テスト済み
Haフリー、RoHS対応
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