Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 286 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージLFPAK, PSMN1R9-80SSEJ

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梱包形態
RS品番:
219-454
メーカー型番:
PSMN1R9-80SSEJ
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

286A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

LFPAK

シリーズ

PSM

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

77nC

最大許容損失Pd

340W

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Nexperia NチャンネルMOSFETは、信頼性の高い銅クリップLFPAK88パッケージで、非常に低いRDS(on)と強化された安全動作領域性能を特長としています。ホットスワップコントローラー用に最適化されており、高突入電流に耐え、I²R損失を最小限に抑えて効率を向上させることができる。アプリケーションには、ホットスワップ、負荷スイッチング、ソフトスタート、eヒューズなどがある。

優れたリニアモード動作のためのSOA

最高性能が要求されるアプリケーション向けLFPAK88パッケージ

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