Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 200 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージLFPAK, PSMN1R9-40YSBX

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RS品番:
219-499
メーカー型番:
PSMN1R9-40YSBX
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

200A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

LFPAK

シリーズ

PSM

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

194W

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
PH
Nexperia NチャンネルMOSFETは、高度なTrenchMOSスーパージャンクション技術を採用しています。最大6 dBまでEMC性能を向上させるように最適化されています。高性能の電源スイッチング用途向けに設計されています。主な用途には、オートメーション、ロボット、DC-DCコンバータ、ブラシレスDCモータ制御、バッテリ絶縁、産業用負荷スイッチング、eFuse、インラッシュ管理などがあります。

低寄生インダクタンス及び抵抗

高信頼性のクリップ接着及びはんだ付けダイアップパワーSO8パッケージ

ウェーブはんだ付け可能

ソフトな回復による超高速スイッチング

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