Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 325 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージLFPAK, PSMN1R0-40SSHJ

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RS品番:
219-470
メーカー型番:
PSMN1R0-40SSHJ
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

325A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

PSM

パッケージ型式

LFPAK

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

最大許容損失Pd

375W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

137nC

動作温度 Max

175°C

高さ

1.6mm

長さ

8mm

幅

8 mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Nexperia NチャンネルMOSFETは、NXP独自のSchottkyPlusテクノロジーを採用したNextPowerS3ポートフォリオを備え、高効率で低スパイキング性能を発揮します。通常、ショットキー又はショットキーのようなダイオードを内蔵したMOSFETSに関連付けられますが、問題のある高漏洩電流はありません。NextPowerS3は、特に高いスイッチング周波数での高効率用途に適しています。

低寄生インダクタンス及び抵抗

アバランシェ定格

ウェーブはんだ付け可能

ソフトな回復による超高速スイッチング

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