Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 1.2 kA 4500 V, シャーシ デプレッション型, FZ1200R45HL4S7BPSA1 パッケージトレイ

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RS品番:
277-199
メーカー型番:
FZ1200R45HL4S7BPSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.2kA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

4500V

パッケージ型式

トレイ

シリーズ

FZ1200

取付タイプ

シャーシ

チャンネルモード

デプレッション型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

2.95V

最大許容損失Pd

2400kW

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

自動車規格

なし

COO（原産国）:
HU
インフィニオンIGBTモジュールは、トレンチ/フィールドストップIGBT4、エミッタ制御4ダイオード、絶縁AlSiCベースプレートを備えたIHV-B 4500 V、1200 A 190 mmシングルスイッチIGBTモジュールです。お客様のアプリケーションに最適なソリューションです。

高電力密度

コンパクトなインバータ設計用

標準化された住宅

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