インフィニオン MOSFET, Pチャンネル, 1.2 kA, シャーシーマウント, FZ1200R45HL4BPSA1
- RS品番:
- 277-198
- メーカー型番:
- FZ1200R45HL4BPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱終了
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- RS品番:
- 277-198
- メーカー型番:
- FZ1200R45HL4BPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 1.2 kA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 4500 V | |
| パッケージタイプ | トレイ | |
| シリーズ | FZ1200 | |
| 実装タイプ | シャーシーマウント | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 3 | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ P | ||
最大連続ドレイン電流 1.2 kA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 4500 V | ||
パッケージタイプ トレイ | ||
シリーズ FZ1200 | ||
実装タイプ シャーシーマウント | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
1チップ当たりのエレメント数 3 | ||
トランジスタ素材 Si | ||
- COO(原産国):
- HU
インフィニオンIGBTモジュールは、トレンチ/フィールドストップIGBT4、エミッタ制御4ダイオード、絶縁AlSiCベースプレートを備えたIHV-B 4500 V、1200 A 190 mmシングルスイッチIGBTモジュールです。お客様のアプリケーションに最適なソリューションです。
高電力密度
コンパクトなインバータ設計用
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