Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 61 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IMT65R039M1HXUMA1
- RS品番:
- 284-720
- メーカー型番:
- IMT65R039M1HXUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 284-720
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- IMT65R039M1HXUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 61A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PG-HSOF-8 | |
| シリーズ | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 51mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 23 V | |
| 最大許容損失Pd | 263W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 41nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 61A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PG-HSOF-8 | ||
シリーズ CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 51mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 23 V | ||
最大許容損失Pd 263W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 41nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンCoolSiC MOSFET 650 V G1は、シリコンカーバイド技術の高度な特性を活用することで優れた性能を発揮する先駆的なパワーデバイスです。高い効率と信頼性を実現するように設計されたこのMOSFETは、過酷な条件下で優れた熱安定性と高性能が求められる用途で優れています。革新的なゲート酸化構造と優れたスイッチング動作により、高電流での損失を大幅に削減し、さまざまな電気環境での長寿命と安全性を確保します。電源システム、EV充電インフラ、再生可能エネルギーソリューションなどの用途に最適なCoolSiC MOSFETは、現代のパワーエレクトロニクスの厳しい要件を満たす汎用性の高いソリューションです。このデバイスは、20年以上の技術力の卓越性を証明し、次世代のエネルギーソリューションの堅牢な基盤として機能します。
最適化されたスイッチングにより、性能を向上
堅牢なボディダイオードにより、信頼性の高い切り替えが可能
優れた熱管理により寿命を延長
温度上昇中の効率的な動作
標準ドライバとのシームレスな統合
ケルビンソースがスイッチング損失を削減
信頼性に関するJEDEC規格に準拠
設計の電力密度を向上させる汎用性
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