Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 59 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IMT65R083M1HXUMA1

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RS品番:
284-730
メーカー型番:
IMT65R083M1HXUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

59A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PG-HSOF-8

シリーズ

CoolSiC MOSFET 650 V G1

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

111mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

158W

最大ゲートソース電圧Vgs

23 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

インフィニオン650 V CoolSiC MOSFETは、最先端のシリコンカーバイド技術を使用して設計されており、要求の厳しい用途に対応する比類のない効率と信頼性を発揮します。この次世代コンポーネントは、さまざまな高温環境や過酷な動作環境での性能を最適化するように設計されています。20年以上にわたって高度な革新的な設計により、高い動作信頼性とユーザーフレンドリーな統合が簡単に融合しています。電力密度の増加とシステムサイズの削減により、ソーラーインバータ、電気自動車充電インフラ、エネルギー保存ソリューションなどの用途に最適で、電源システムにシームレスに実装できます。

最適化されたスイッチング動作により効率を向上

堅牢なボディダイオードにより、信頼性の高い切り替えが可能

高温での動作向けに設計

既存の回路への統合を簡素化

過酷な環境下における卓越した熱性能

優れたアバランチ機能により、システムの安全性を向上

スイッチング損失を大幅に削減

高電力密度用途に最適

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