Infineon MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 59 A, 111 mΩ, 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8

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RS品番:
284-730
メーカー型番:
IMT65R083M1HXUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)

650 V

最大連続ドレイン電流(Id)

59 A

最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)

111 mΩ

ピン数

8

パッケージ型式

PG-HSOF-8

自動車規格

なし

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧(Vgs)

23 V

動作温度 (Max)

175 °C

最大許容損失(Pd)

158 W

動作温度 (Min)

-55 °C

取付タイプ

表面

シリーズ

CoolSiC MOSFET 650 V G1

規格 / 承認

RoHS Compliant

The Infineon 650 V CoolSiC MOSFET is engineered with cutting edge silicon carbide technology, offering unmatched efficiency and reliability for demanding applications. This next generation component is designed to optimise performance across various high temperature and challenging operating environments. Its innovative design, refined over 20 years, effortlessly combines high operational reliability with user friendly integration. The increase in power density and reduction in system size makes it an Ideal choice for applications such as solar inverters, electric vehicle charging infrastructure, and energy storage solutions, allowing for seamless implementation in power supply systems.

Optimised switching behaviour enhances efficiency

Robust body diode ensures reliable commutation

Designed for high temperature operations

Simplified integration into existing circuits

Exceptional thermal performance for demanding environments

Superior avalanche capability for system safety

Significant reduction in switching losses

Ideal for high power density applications

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