Infineon MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 59 A, 111 mΩ, 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- RS品番:
- 284-730
- メーカー型番:
- IMT65R083M1HXUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱停止中
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仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 650 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 59 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 111 mΩ | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | PG-HSOF-8 | |
| 自動車規格 | なし | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 23 V | |
| 動作温度 (Max) | 175 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 158 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| シリーズ | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 650 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 59 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 111 mΩ | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 PG-HSOF-8 | ||
自動車規格 なし | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 23 V | ||
動作温度 (Max) 175 °C | ||
最大許容損失(Pd) 158 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
シリーズ CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
The Infineon 650 V CoolSiC MOSFET is engineered with cutting edge silicon carbide technology, offering unmatched efficiency and reliability for demanding applications. This next generation component is designed to optimise performance across various high temperature and challenging operating environments. Its innovative design, refined over 20 years, effortlessly combines high operational reliability with user friendly integration. The increase in power density and reduction in system size makes it an Ideal choice for applications such as solar inverters, electric vehicle charging infrastructure, and energy storage solutions, allowing for seamless implementation in power supply systems.
Optimised switching behaviour enhances efficiency
Robust body diode ensures reliable commutation
Designed for high temperature operations
Simplified integration into existing circuits
Exceptional thermal performance for demanding environments
Superior avalanche capability for system safety
Significant reduction in switching losses
Ideal for high power density applications
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