Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IMT65R048M1HXUMA1

インフィニオンCoolSiC MOSFET 650 V G1は、半導体技術の革新を体現しています。この高性能デバイスは、堅牢なシリコンカーバイド技術を活用し、優れた熱性能と安定性を必要とする用途で効率と信頼性を最適化します。過酷な環境向けに特別に設計されており、高温動作で優れ、システム設計を簡素化します。高度な機能を備えたMOSFETにより、ユーザーは優れた電力密度を実現し、スペースを節約できるため、電気自動車の充電インフラ、ソーラーインバータ、効率的な電源などのさまざまな用途に最適です。CoolSiC MOSFET 650V G1は、単なるコンポーネントではなく、性能と信頼性に対するコミットメントを体現し、現代の電子ソリューションに最適です。

高周波用途に最適化