インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 85 A, 表面実装, 22 ピン, IPDQ65R029CFD7XTMA1
- RS品番:
- 284-870
- メーカー型番:
- IPDQ65R029CFD7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱終了
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- RS品番:
- 284-870
- メーカー型番:
- IPDQ65R029CFD7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 85 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V | |
| シリーズ | 650V CoolMOS | |
| パッケージタイプ | PG-HDSOP-22 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 22 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| トランジスタ素材 | SiC | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 85 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 650 V | ||
シリーズ 650V CoolMOS | ||
パッケージタイプ PG-HDSOP-22 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 22 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
トランジスタ素材 SiC | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
インフィニオンのMOSFETは、高効率スイッチング・アプリケーションの厳しい要件を満たすように設計されています。クールモスCFD7シリーズの最先端技術を取り入れ、共振や位相シフトフルブリッジトポロジーを含む様々なシナリオで優れた性能を発揮します。耐圧650Vのこのデバイスは、効率と熱管理を最適化し、最新の電源システムに適している。その高速ボディ・ダイオード・テクノロジーは堅牢な動作を実現し、高い過渡負荷にも容易に対応できます。サーバー・アプリケーション、テレコム・システム、EV充電や太陽光発電のような再生可能エネルギー・ソリューションのいずれに使用されるにせよ、このMOSFETは、製品ラインナップの充実を目指すメーカーにとって優れた選択肢です。
超高速ボディ・ダイオードが迅速なレスポンスを実現
低熱抵抗で熱放散を最適化
強化された堅牢性により、信頼性の高い操作を実現
スイッチング性能の向上により効率が向上
高電力密度アプリケーション向け
包括的なJEDEC認定が品質を保証
低熱抵抗で熱放散を最適化
強化された堅牢性により、信頼性の高い操作を実現
スイッチング性能の向上により効率が向上
高電力密度アプリケーション向け
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