インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 28 A, 表面実装, 8 ピン, IPT65R099CFD7XTMA1
- RS品番:
- 284-909
- メーカー型番:
- IPT65R099CFD7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱終了
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- RS品番:
- 284-909
- メーカー型番:
- IPT65R099CFD7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 28 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V | |
| パッケージタイプ | PG-HSOF-8 | |
| シリーズ | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| トランジスタ素材 | SiC | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 28 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 650 V | ||
パッケージタイプ PG-HSOF-8 | ||
シリーズ 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
トランジスタ素材 SiC | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
インフィニオンのMOSFETは、先進の650V CoolMOS CFD7パワー・デバイスを搭載しており、LLCおよび位相シフト・フルブリッジ・アプリケーションを含む共振スイッチング・トポロジーにおいて卓越した性能を発揮するように設計されています。効率と熱挙動の改善に重点を置いたこの製品は、サーバー、通信システム、EV充電などの要求の厳しいアプリケーションに理想的なソリューションです。高速ボディ・ダイオードの搭載は、特に高速スイッチング・シナリオにおいて信頼性を高める。定評あるCFD2シリーズの進化版として、この革新的なMOSFETは優れたスイッチング特性を活用し、ハード整流事象に対するロバスト性を強化しています。その設計は、効率と熱性能に関する業界標準を満たすだけでなく、それを上回るものであり、高電力密度ソリューションにとって貴重なコンポーネントとなっている。
高速性能を実現する超高速ボディ・ダイオード
スイッチング損失を最小限に抑え、最適なエネルギー利用を実現
安全性を高める卓越した堅牢性
産業用SMPSアプリケーションに最適化
JEDECの産業用規格に適合
コンパクト設計のための高電力密度をサポート
位相シフト・フルブリッジ・インテグレーション用に設計
スイッチング損失を最小限に抑え、最適なエネルギー利用を実現
安全性を高める卓越した堅牢性
産業用SMPSアプリケーションに最適化
JEDECの産業用規格に適合
コンパクト設計のための高電力密度をサポート
位相シフト・フルブリッジ・インテグレーション用に設計
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