インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 23 A, 表面実装, 8 ピン, IPT65R125CFD7XTMA1
- RS品番:
- 284-910
- メーカー型番:
- IPT65R125CFD7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱終了
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- RS品番:
- 284-910
- メーカー型番:
- IPT65R125CFD7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 23 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V | |
| シリーズ | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| パッケージタイプ | PG-HSOF-8 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| トランジスタ素材 | SiC | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 23 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 650 V | ||
シリーズ 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
パッケージタイプ PG-HSOF-8 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
トランジスタ素材 SiC | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
インフィニオンのMOSFETは、要求の厳しいアプリケーションの電力効率を高めるために設計された最先端のMOSFETです。このデバイスは、業界をリードするスイッチング性能を備え、PG HSOF 8パッケージに封止され、熱管理を最適化し、動作信頼性を最大化します。650Vという驚異的な耐圧を持ち、高電力密度に対応するように設計されており、LLCコンバータや位相シフト・フルブリッジ・コンバータなどの共振スイッチング・トポロジーに不可欠な部品です。効率と信頼性に関する厳格な基準を満たすだけでなく、電力マージンの拡大や幅広い動作温度範囲での性能向上を必要とする設計にも対応している。
超高速ボディ・ダイオードがパフォーマンスを向上
スイッチング損失を低減し、エネルギー効率を向上
過酷な用途に対応する優れた堅牢性
安全性のためにバス電圧の上昇をサポート
産業用の卓越した軽負荷効率
スイッチング損失を低減し、エネルギー効率を向上
過酷な用途に対応する優れた堅牢性
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