インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 19 A, 表面実装, 8 ピン, IPT65R155CFD7XTMA1
- RS品番:
- 284-913
- メーカー型番:
- IPT65R155CFD7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱終了
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- RS品番:
- 284-913
- メーカー型番:
- IPT65R155CFD7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 19 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V | |
| シリーズ | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| パッケージタイプ | PG-HSOF-8 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| トランジスタ素材 | SiC | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 19 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 650 V | ||
シリーズ 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
パッケージタイプ PG-HSOF-8 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
トランジスタ素材 SiC | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
インフィニオンのMOSFETは、その先進的なcoolMOS技術により、高電圧アプリケーションの効率と性能を再定義するパワー・デバイスです。共振スイッチング・トポロジー向けに特別に設計されたこの製品は、卓越したスイッチング能力を誇り、大幅な省エネと熱管理の改善を実現します。この最新モデルは、電圧クラスの選択肢を広げ、従来モデルの後継にふさわしい役割を果たす。その超高速ボディ・ダイオードと優れたハードコミュテーションの堅牢性により、このデバイスは、特に電気通信や電気自動車充電などの分野における厳しい産業要件に最適な選択肢となっています。
超高速ボディダイオードが動作効率を高める
高ブレークダウン電圧で安全性を確保
クラス最高のRDS(on)で導通損失を低減
卓越した軽負荷性能が効率を高める
サーバーおよびソーラー・アプリケーションに最適化
高ブレークダウン電圧で安全性を確保
クラス最高のRDS(on)で導通損失を低減
卓越した軽負荷性能が効率を高める
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