型番

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 62 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TSDSON-8, ISZ106N12LM6ATMA1

RS品番:: 285-060
メーカー型番:: ISZ106N12LM6ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 62 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TSDSON-8, ISZ106N12LM6ATMA1

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RS品番:: 285-060
メーカー型番:: ISZ106N12LM6ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

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その他

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	62A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	120V
	パッケージ型式	PG-TSDSON-8
	シリーズ	OptiMOS 6 Power Transistor
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	10.6mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	94W
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS Compliant
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 62A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 120V
	パッケージ型式 PG-TSDSON-8
	シリーズ OptiMOS 6 Power Transistor
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 10.6mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 94W
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS Compliant
	自動車規格なし

Datasheet - ISZ106N12LM6ATMA1

インフィニオンMOSFETは、高性能用途で優れたパワートランジスタで、現代の電子システムのニーズに対応するように設計されています。先進的なNチャンネル技術により、優れた効率と信頼性を発揮し、高周波スイッチング操作に最適です。現場のプロフェッショナル向けに作られたこの製品は、低オン抵抗と優れたゲート充電特性を組み合わせています。これにより、同期整流や産業用途に適した選択肢になります。

極めて低いオン抵抗により、効率を向上

高周波スイッチングに最適化

高いアバランチエネルギー等級により、信頼性を向上

高速応答のための優れたゲート充電

コンプライアンスのための鉛フリーリードめっき

55°C～175°Cで動作

製造を簡単にするMSL 1分類

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Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 62 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TSDSON-8, ISZ106N12LM6ATMA1

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