Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 656 A エンハンスメント型, 表面, 12-Pin パッケージPG-TSON-12, IQFH36N04NM6ATMA1

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1個小計:*

¥1,455.00

(税抜)

¥1,600.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
新商品(入荷待ち)
  • 本日発注の場合は 2026年11月11日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
1 - 9¥1,455
10 - 99¥1,311
100 - 499¥1,208
500 - 999¥1,121
1000 +¥1,004

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
348-840
メーカー型番:
IQFH36N04NM6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

656A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

PG-TSON-12

シリーズ

OptiMOS-TM6

取付タイプ

表面

ピン数

12

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.36mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

300W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO(原産国):
AT
Infineonの40VノーマルレベルパワーMOSFETは、当社の最新の革新的でコンパクトなクリップベースのPQFN 8x6 mm2パッケージで提供され、非常に高い電流と動力レベルを可能にします。この部品は、0.36mΩという業界最高のRDS(on)と卓越した熱性能を兼ね備えています。

伝導損失の最小化

高速スイッチング

電圧オーバーシュートの低減

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。