Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 750 V, 24 A エンハンスメント型, 表面, 22-Pin パッケージPG-HDSOP-22, AIMDQ75R090M1HXUMA1

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RS品番:
348-935
メーカー型番:
AIMDQ75R090M1HXUMA1
メーカー/ブランド名:
Infineon
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ブランド

Infineon

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

24A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

750V

パッケージ型式

PG-HDSOP-22

シリーズ

CoolSiC

取付タイプ

表面

ピン数

22

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

117mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

23 V

最大許容損失Pd

128W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
MY
Infineon 750 V CoolSiC MOSFET は、Infineon が 20 年以上かけて開発したソリッドシリコンカーバイド技術に基づいて構築されています。ワイドバンドギャップ SiC 材の特性を活用した 750V CoolSiC MOSFET は、性能、信頼性、使いやすさの独自の組み合わせを提供します。高温および過酷な動作環境に適しており、最高レベルのシステム効率を簡素かつコスト効率良く実現します。

Infineon 独自のダイアタッチ技術

ドライバソースピンあり

500 V を超えるバス電圧に対する堅牢性と信頼性の向上

ハードスイッチングにおける優れた効率性

ソフトスイッチングトポロジにおける高いスイッチング周波数

ユニポーラゲート駆動における寄生ターンオンに対する堅牢性

クラス最高の放熱性

ゲート制御の改善によるスイッチング損失の低減

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