Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 750 V, 24 A エンハンスメント型, 表面, 22-Pin パッケージPG-HDSOP-22, IMDQ75R090M1HXUMA1
- RS品番:
- 349-045
- メーカー型番:
- IMDQ75R090M1HXUMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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- RS品番:
- 349-045
- メーカー型番:
- IMDQ75R090M1HXUMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 24A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 750V | |
| パッケージ型式 | PG-HDSOP-22 | |
| シリーズ | CoolSiC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 22 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 117mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 23 V | |
| 最大許容損失Pd | 128W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 15nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Infineon | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 24A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 750V | ||
パッケージ型式 PG-HDSOP-22 | ||
シリーズ CoolSiC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 22 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 117mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 23 V | ||
最大許容損失Pd 128W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
Infineon 750 V CoolSiC MOSFET G1 は、20 年以上にわたって開発された Infineon のソリッドシリコンカーバイド技術に基づいて構築されています。ワイドバンドギャップ SiC 材の特性を活用することで、750V CoolSiC MOSFET は、性能、信頼性、使いやすさのユニークな組み合わせを実現します。この MOSFET は高温と過酷な動作条件に耐えるように設計されており、要求の厳しい用途に最適です。これにより、高効率で簡素化されたコスト効率の高いシステムの導入が可能になり、厳しい環境におけるパワーエレクトロニクスの進化するニーズに応えることができます。
Infineon 独自のダイアタッチ技術
最先端の上面冷却パッケージ
ドライバソースピンあり
500 V を超えるバス電圧に耐える堅牢な設計
ハードスイッチングにおける優れた効率性
ソフトスイッチングトポロジにおける高いスイッチング周波数
ユニポーラゲート駆動における寄生ターンオンに対する堅牢性
クラス最高の放熱性
ゲート制御の改善によるスイッチング損失の低減
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