Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 75 A 1200 V, ねじ止め端子 エンハンスメント型, FF11MR12W2M1HB70BPSA1 パッケージEasyPACK

MOSFET・モスフェット の一覧へ

1個小計：*

￥47,394.00

(税抜)

￥52,133.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 15 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 +￥47,394

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
348-975
メーカー型番:
FF11MR12W2M1HB70BPSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

75A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

FF11MR12W2M1H_B70

パッケージ型式

EasyPACK

取付タイプ

ねじ止め端子

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

23 V

順方向電圧 Vf

5.35V

最大許容損失Pd

20mW

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

自動車規格

なし

COO（原産国）:
DE
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET ハーフブリッジモジュールは、高性能電力用途向けに、最先端技術と優れた設計を組み合わせています。クラス最高のパッケージングとコンパクトな高さ 12.25 mm で、スペースと性能の両方を最適化します。このモジュールは最先端のワイドバンドギャップ（WBG）材を使用しており、動力効率、熱性能、信頼性が向上しています。モジュールの浮遊インダクタンスが非常に低いため、動力損失が最小限に抑えられ、スイッチング動作が改善されます。

卓越したモジュール効率

システムコストの優位性

システム効率の改善

冷却要件の低減

より高い周波数に対応

電力密度の向上

DCB 材料の優れた熱伝導性

関連ページ