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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	72 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	600 V
	パッケージタイプ	PG-HDSOOP-10-1
	シリーズ	IPD
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	10
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	1チップ当たりのエレメント数	1

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 72 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 600 V
	パッケージタイプ PG-HDSOOP-10-1
	シリーズ IPD
	実装タイプ表面実装
	ピン数 10
	チャンネルモードエンハンスメント型
	1チップ当たりのエレメント数 1

Datasheet - IPDD60R037CM8XTMA1

COO（原産国）:: MY

Infineon CoolMOS 第 8 世代プラットフォームは、スーパージャンクション (SJ) 原理に基づいて設計され、Infineon Technologies が最初に開発した、高電圧パワー MOSFET 向けの革新的技術です。600V CoolMOS CM8 シリーズは、CoolMOS 7 の後継製品です。高速スイッチング SJ MOSFET の利点と、優れた使いやすさ（低リンギング傾向、すべての製品に実装された高速ボディダイオードによるハードスイッチングに対する優れた堅牢性、優れた ESD 性能）を兼ね備えています。さらに、CM8 の極めて低いスイッチング損失および伝導損失により、スイッチング用途の効率がさらに向上します。

ハードおよびソフトスイッチングトポロジに最適
低リンギング傾向による使いやすさと高速設計
高度なダイアタッチ技術により、熱管理を簡素化
幅広い用途と電力範囲に最適
より小さなフットプリントの製品を使用することで実現した高出力密度ソリューション

個	単価
1 - 9	￥1,339
10 - 99	￥1,204
100 - 499	￥1,112
500 - 999	￥1,030
1000 +	￥923

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 72 A, 表面実装, 10 ピン, IPDD60R037CM8XTMA1

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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