Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 62 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8, ISC110N12NM6ATMA1

Infineon OptiMOS 6 パワートランジスタは、高効率電力用途向けに設計された N チャネル、通常レベル MOSFET です。非常に低いオン抵抗（RDS(on)）を特徴としており、伝導損失を低減し、エネルギー効率が向上しています。このトランジスタは、優れたゲート電荷 xRDS(on) 積（FOM）を提供し、スイッチング性能が向上しています。逆回復電荷（Qrr）が非常に低いため、スイッチング損失を最小限に抑え、高速スイッチング用途に最適です。また、高いアバランシェエネルギー定格を持ち、過渡条件下での堅牢な性能を保証します。さらに、この MOSFET は 175℃ の温度で動作し、要求の厳しい用途に高い耐熱性を提供します。

高周波スイッチングと同期整流に最適化