Infineon MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 108 nC, 7ピン, パッケージ：PG-TO263-7
- RS品番:
- 349-189
- メーカー型番:
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 349-189
- メーカー型番:
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | AIK | |
| パッケージ型式 | PG-TO263-7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 108nC | |
| 最大許容損失Pd | 326W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.8V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ AIK | ||
パッケージ型式 PG-TO263-7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 108nC | ||
最大許容損失Pd 326W | ||
順方向電圧 Vf 1.8V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
TRENCHSTOP 5 高速スイッチング IGBT と CoolSiC ショットキーダイオード G5 を搭載した Infineon CoolSiC ハイブリッドディスクリートは、車載用に設計されています。ハードスイッチングおよび共振トポロジーにおいてクラス最高の効率を発揮します。
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