Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 60 A 1200 V, ねじ止め端子 エンハンスメント型, F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- RS品番:
- 349-250
- メーカー型番:
- F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| シリーズ | F4-11MR12W2M1H_B70 | |
| 取付タイプ | ねじ止め端子 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 23.1mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 順方向電圧 Vf | 5.35V | |
| 最大許容損失Pd | 20mW | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 23 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | 60749, IEC 60747, 60068 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
シリーズ F4-11MR12W2M1H_B70 | ||
取付タイプ ねじ止め端子 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 23.1mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
順方向電圧 Vf 5.35V | ||
最大許容損失Pd 20mW | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 23 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 60749, IEC 60747, 60068 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- DE
IInfineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 4 パック モジュール 1200 V、11 mΩ G1、NTC 付き、あらかじめ塗布されたサーマルインターフェースマテリアル (TIM) および PressFIT コンタクト技術採用。この MOSFET は、コンパクトな高さ 12 mm のクラス最高のパッケージを特徴としており、省スペースでありながら最適な性能を保証します。最先端のワイドバンドギャップ材を採用し、動力効率と熱管理を強化しています。モジュールの浮遊インダクタンスが非常に低いため、動力損失が減少し、スイッチング速度が向上します。
卓越したモジュール効率
システムコストの優位性
システム効率の改善
冷却要件の低減
より高い周波数に対応
電力密度の向上
