Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 200 A 1200 V, ねじ止め端子 エンハンスメント型, FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 パッケージEasyDUAL

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RS品番:
349-253
メーカー型番:
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

200A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

EasyDUAL

シリーズ

CoolSiCTM Trench MOSFET

取付タイプ

ねじ止め端子

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

5.35V

最大許容損失Pd

20mW

最大ゲートソース電圧Vgs

23 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

自動車規格

なし

COO（原産国）:
DE
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET ハーフブリッジモジュールは、4 mΩの低ゲート抵抗 G1 を特徴とし、正確な温度監視のための NTC 温度センサを内蔵した 1200 V モジュールです。また、熱放散を強化するサーマルインターフェイスマテリアルがあらかじめ塗布されており、PressFIT コンタクト技術を採用しているため、信頼性の高い効率的な電線接続が可能です。このモジュールは、効率的な動力変換と熱管理が重要な高性能用途向けに設計されています。

内蔵マウントクランプによる堅牢な取り付け

PressFIT コンタクト技術

NTC 温度センサ内蔵

あらかじめ塗布されたサーマルインターフェースマテリアル

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