Infineon パワー トランジスタ, Nチャンネル, 600 V, 123 A, 16 mΩ, 171 nC, 4ピン, パッケージ：PG-TO-247
- RS品番:
- 349-265
- メーカー型番:
- IPW60R016CM8XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1個小計：*
￥3,602
(税抜)
￥3,962
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 227 は 2026年10月07日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 9 | ￥3,602 |
| 10 - 99 | ￥3,241 |
| 100 + | ￥2,989 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 349-265
- メーカー型番:
- IPW60R016CM8XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワー トランジスタ | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 123A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | IPW | |
| パッケージ型式 | PG-TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 16mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 521W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 171nC | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS, JEDEC | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワー トランジスタ | ||
最大連続ドレイン電流Id 123A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ IPW | ||
パッケージ型式 PG-TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 16mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 521W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 171nC | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS, JEDEC | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
インフィニオンIPWシリーズパワートランジスタ、ドレイン-ソース間電圧 600V、連続ドレイン電流 123A - IPW60R016CM8XKSA1
このパワートランジスタは、要求の厳しい電気システムの電力変換およびスイッチング向けに設計された高電圧NチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。スルーホールPG-TO-247パッケージで提供され、大電流処理と高温動作が求められる用途向けです。このデバイスはRoHSおよびJEDEC規格に準拠し、高い耐熱性が求められる用途に適しています。
特長：
• 定格電圧 600V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続電流 123A により、高負荷動作に対応
• 16mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 最大許容電力 521W により、大きな電力処理に対応
• ゲート電荷 171nC により、予測可能なスイッチング制御が可能
• -55～175°C の温度範囲により、高温環境での使用が可能
• 連続電流 123A により、高負荷動作に対応
• 16mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 最大許容電力 521W により、大きな電力処理に対応
• ゲート電荷 171nC により、予測可能なスイッチング制御が可能
• -55～175°C の温度範囲により、高温環境での使用が可能
用途
• 産業用モータ駆動の電力段に適合
• 高電圧電源およびコンバータに最適
• 大電流が求められるインバータ回路で使用
• スイッチング電源に使用可能
• 堅牢なスルーホール実装が求められる設計に適合
• 高電圧電源およびコンバータに最適
• 大電流が求められるインバータ回路で使用
• スイッチング電源に使用可能
• 堅牢なスルーホール実装が求められる設計に適合
ゲート駆動ではどのような点を考慮する必要がありますか？
標準総ゲート電荷は 171nC のため、スイッチング損失と電磁干渉を管理するには、ゲートドライバの駆動能力と立ち上がりおよび立ち下がり時間の制御が重要です。
このデバイスの負荷時の熱性能はどのようなものですか？
最大 521W の電力を放散可能
ヒートシンクや基板配置などの熱管理は、想定される周囲温度でこの電力損失に対応できるよう設計する必要があります。
設計時に守る必要がある電圧および電流の上限はどのくらいですか？
最大ドレイン-ソース間電圧は 600V、連続ドレイン電流定格は 123A のため、過度なストレスを避けるには、システムの設計マージンと過渡条件を考慮する必要があります。
実装またはパッケージに関して考慮すべき点はありますか？
PG-TO-247スルーホールフォーマットには、適切な穴間隔と機械的サポートが必要で、高出力用途向けの堅牢なヒートシンク取り付けが可能です。
関連ページ
- Infineon MOSFET 600 V 16 mΩ 4ピン, パッケージ：PG-TO247-4
- Infineon MOSFET 600 V 16 mΩ 3ピン, パッケージ：PG-TO220-3
- Infineon MOSFET 600 V 37 mΩ 3ピン, パッケージ：PG-TO-247
- Infineon シングルMOSFET 600 V 120 mΩ 3ピン, パッケージ：PG-TO-247-3
- Infineon PG-TO-247 IGBTシングルトランジスタIC 75 A, 3ピン
- Infineon PG-TO-247 IGBTシングルトランジスタIC 20 A, 3ピン
- Infineon パワーMOSFET 600 V 16 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- Infineon パワーMOSFET 600 V 16 mΩ 22ピン, パッケージ：PG-HDSOP-22