Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 185 A 1200 V, ねじ止め端子 エンハンスメント型, FF3MR12KM1HHPSA1
- RS品番:
- 349-315
- メーカー型番:
- FF3MR12KM1HHPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- FF3MR12KM1HHPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 185A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| 取付タイプ | ねじ止め端子 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6.32mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 23 V | |
| 順方向電圧 Vf | 5.59V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 185A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
取付タイプ ねじ止め端子 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.32mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 23 V | ||
順方向電圧 Vf 5.59V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- HU
Infineon 62 mm CoolSiC MOSFET ハーフブリッジモジュールは、定評のある 62 mm パッケージに収められ、最新の M1H チップテクノロジーを組み合わせて最適な性能を実現します。このモジュールは高電流密度を実現し、コンパクトでありながら強力なソリューションを必要とする用途に最適です。スイッチング損失が低く、高周波でも効率的な動作を保証し、優れたゲート酸化膜の信頼性により、長期にわたる耐久性を実現します。
冷却の労力を最小化
体積とサイズの縮小
システムコストの削減
対称モジュール設計
標準構築技術