Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 195 A 2000 V, ねじ止め端子 エンハンスメント型, FF5MR20KM1HHPSA1
- RS品番:
- 349-317
- メーカー型番:
- FF5MR20KM1HHPSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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- RS品番:
- 349-317
- メーカー型番:
- FF5MR20KM1HHPSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 195A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 2000V | |
| 取付タイプ | ねじ止め端子 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 15.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 6.15V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Infineon | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 195A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 2000V | ||
取付タイプ ねじ止め端子 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 15.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 6.15V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- HU
Infineon 62 mm CoolSiC MOSFET ハーフブリッジモジュール 2000 V、5.2 mΩ G1 は、M1H チップテクノロジーを採用した定評のある 62 mm ハウジング設計を採用しています。サーマルインターフェースマテリアルをあらかじめ塗布したタイプもあります。
高電流密度
低スイッチング損失
優れたゲート酸化信頼性
堅牢な集積ボディダイオード
高宇宙線堅牢性
高速スイッチングモジュール
対称モジュール設計
