Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 750 V, 173 A エンハンスメント型, 表面, 22-Pin パッケージPG-HDSOP-22, IMDQ75R008M1HXUMA1

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RS品番:
349-329
メーカー型番:
IMDQ75R008M1HXUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

173A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

750V

パッケージ型式

PG-HDSOP-22

シリーズ

CoolSiC

取付タイプ

表面

ピン数

22

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

23 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

178nC

最大許容損失Pd

625W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Infineon 750 V CoolSiC MOSFET G1 は、20 年以上にわたって開発された Infineon のソリッドシリコンカーバイド技術に基づいて構築されています。ワイドバンドギャップ SiC 材の特性を活用することで、750V CoolSiC MOSFET は、性能、信頼性、使いやすさのユニークな組み合わせを実現します。この MOSFET は高温と過酷な動作条件に耐えるように設計されており、要求の厳しい用途に最適です。これにより、高効率で簡素化されたコスト効率の高いシステムの導入が可能になり、厳しい環境におけるパワーエレクトロニクスの進化するニーズに応えることができます。

Infineon 独自のダイアタッチ技術

最先端の上面冷却パッケージ

ドライバソースピンあり

500 V を超えるバス電圧に耐える堅牢な設計

ハードスイッチングにおける優れた効率性

ソフトスイッチングトポロジにおける高いスイッチング周波数

ユニポーラゲート駆動における寄生ターンオンに対する堅牢性

クラス最高の放熱性

ゲート制御の改善によるスイッチング損失の低減

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