Infineon MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 103 A, 18 mΩ, 79 nC, 4ピン, パッケージ：PG-TO247-4
- RS品番:
- 349-334
- メーカー型番:
- IMZA65R015M2HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1個小計：*
￥3,931
(税抜)
￥4,324
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 240 は 2027年8月12日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 9 | ￥3,931 |
| 10 - 99 | ￥3,539 |
| 100 + | ￥3,263 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 349-334
- メーカー型番:
- IMZA65R015M2HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 103A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | CoolSiC | |
| パッケージ型式 | PG-TO247-4 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 18mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 79nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 23V | |
| 最大許容損失Pd | 341W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 103A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ CoolSiC | ||
パッケージ型式 PG-TO247-4 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 18mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 79nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 23V | ||
最大許容損失Pd 341W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンCoolSiCシリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 650V、連続ドレイン電流 103A - IMZA65R015M2HXKSA1
このMOSFETは、要求の厳しい産業環境での高電圧スイッチング向けに設計されたシリコンカーバイドパワートランジスタです。Nチャンネルエンハンスメントモードデバイスとして動作し、ヒートシンクの取り付けと一般的な組立方法に適した4ピンPG-TO247-4スルーホールパッケージで提供されます。このコンポーネントは連続大電流動作に対応し、広い温度範囲で使用できる仕様のため、高いジャンクション温度で継続的な電力処理が求められるシステムに適しています。
特長：
• ドレイン電圧 650V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流 103A により、大電流負荷に対応
• 18mΩ のRDS(on)により、導通損失を低減して効率を向上
• 標準ゲート電荷 79nC により、予測可能なスイッチング動作を確保
• 最大許容電力 341W により、大きな熱負荷に対応
• -55～175°C の定格温度範囲により、極端な温度条件での動作に対応
• 連続ドレイン電流 103A により、大電流負荷に対応
• 18mΩ のRDS(on)により、導通損失を低減して効率を向上
• 標準ゲート電荷 79nC により、予測可能なスイッチング動作を確保
• 最大許容電力 341W により、大きな熱負荷に対応
• -55～175°C の定格温度範囲により、極端な温度条件での動作に対応
用途
• 産業用モータ駆動の電力段に適合
• 高電圧電源およびインバータに最適
• コンバータの堅牢なヒートシンクアセンブリで使用
• 大電流DC-DC変換システムに使用可能
• スルーホール型パワーエレクトロニクスの交換用途に適合
• 高電圧電源およびインバータに最適
• コンバータの堅牢なヒートシンクアセンブリで使用
• 大電流DC-DC変換システムに使用可能
• スルーホール型パワーエレクトロニクスの交換用途に適合
どのようなパッケージと実装方式を採用していますか？
はんだ付けまたはボルト固定によるヒートシンク取り付けに対応する、スルーホール実装のPG-TO247-4パッケージで提供されます。
ゲート仕様はスイッチング設計にどのように影響しますか？
標準ゲート電荷 79nC はゲート駆動エネルギーの目安となり、ドライバの駆動能力の選定やスイッチング速度とのトレードオフに影響します。
設計時に考慮すべき温度上限はどのくらいですか？
このデバイスは、規定条件下で最大 341W の電力を放散でき、高温システム設計向けに最高 175°C までの動作に対応しています。
車載規格の要件に適していますか？
自動車規格の認証に適合する仕様ではないため、車載認定要件に照らして評価する必要があります。
関連ページ
- Infineon MOSFET 650 V 4ピン, パッケージ：PG-TO247-4
- Infineon MOSFET 650 V 4ピン, パッケージ：PG-TO247-4
- Infineon MOSFET 650 V 4ピン, パッケージ：PG-TO247-4
- Infineon MOSFET 650 V 4ピン, パッケージ：PG-TO247-4
- Infineon MOSFET 650 V 18 mΩ 3ピン, パッケージ：PG-TO-247
- Infineon MOSFET 650 V 49 mΩ 4ピン, パッケージ：PG-TO247-4
- Infineon MOSFET 650 V 62 mΩ 4ピン, パッケージ：PG-TO247-4
- Infineon MOSFET 650 V 24 mΩ 4ピン, パッケージ：PG-TO247-4