Infineon パワーMOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 87 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8, BSC088N15LS5ATMA1

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥2,709.00

(税抜)

¥2,979.90

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 5,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
5 - 45¥541.80¥2,709
50 - 95¥514.80¥2,574
100 +¥476.80¥2,384

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
349-395
メーカー型番:
BSC088N15LS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

87A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

PG-TDSON-8

シリーズ

OptiMOS 5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

139W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

40nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
Infineon OptiMOS 5 パワー MOSFET ロジックレベル 150 V ファミリーは、わずか 4.5 V の Vgs で動作可能な、OptiMOS 5 150 V 製品と同じ優れた性能を実現します。熱管理が改善され、システムの複雑さが軽減されています。

超低スイッチング損失

5 V を供給する SR に対応

高効率設計

関連ページ