Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 381 A, 0.7 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON
- RS品番:
- 241-9875
- メーカー型番:
- BSC027N06LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 241-9875
- メーカー型番:
- BSC027N06LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 381A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | BSC0 | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.7mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 381A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ BSC0 | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.7mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon BSC0シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧60V、最大連続ドレイン電流381A - BSC027N06LS5ATMA1
このMOSFETは、過酷な温度範囲で効率的なスイッチングと耐熱性が求められる表面実装用途向けに設計された高電流Nチャンネルパワートランジスタです。パワーステージ用のロジック互換スイッチとして動作し、大幅な連続電流容量を実現しながら、低オン抵抗と制御されたゲート駆動特性を必要とするコンパクトな基板レイアウトおよびアセンブリに適しています。
特長：
• 60Vドレイン電圧制限により、堅牢な中電圧スイッチングを実現
• 381Aの連続電流により、高い持続負荷容量を実現
• 0.7mΩ Rds(on)により、高負荷時の導通損失を低減
• 81Wの消費電力により、大幅な熱ヘッドルームを実現
• 80nC標準ゲート充電により、適度なドライブで高速スイッチングをサポート
• 1.2Vの順方向ダイオード電圧により、コンミューティング時の回復ストレスを最小限に抑制
• 381Aの連続電流により、高い持続負荷容量を実現
• 0.7mΩ Rds(on)により、高負荷時の導通損失を低減
• 81Wの消費電力により、大幅な熱ヘッドルームを実現
• 80nC標準ゲート充電により、適度なドライブで高速スイッチングをサポート
• 1.2Vの順方向ダイオード電圧により、コンミューティング時の回復ストレスを最小限に抑制
用途
• コンパクトボードの高電流モータドライバステージに最適
• 電力コンバータの同期整流に最適
• 低導電損失を必要とするバッテリ管理システムに使用
• DC-DC電源モジュールのスイッチステージに使用可能
• 幅広い温度範囲で動作する産業用ドライブに最適
• 電力コンバータの同期整流に最適
• 低導電損失を必要とするバッテリ管理システムに使用
• DC-DC電源モジュールのスイッチステージに使用可能
• 幅広い温度範囲で動作する産業用ドライブに最適
信頼性の高いスイッチングには、どのようなゲートドライブマージンを推奨しますか?
最大20V Vgsまでのゲートドライブは許容されますが、一般的なロジックレベルドライブは、ドライバをサイズ変更する際に80nCのゲート電荷を考慮して、必要な移行速度を実現する必要があります。
熱性能はレイアウトと冷却にどのように影響しますか?
最大消散定格81Wを備えた基板設計により、TDSONパッケージから熱を伝導し、高電流動作を維持するために十分な銅面積と熱バイアスを提供する必要があります。
動作中にどのような環境範囲に耐えられますか?
-55°C～+150°Cの広い周囲範囲で動作し、極端な温度にさらされる設計をサポートします。
本質ダイオードの動作は、スイッチングイベントにどのように影響しますか?
1.2Vの順方向ダイオード特性により、モード変更時のピーク逆回復ストレスを低減し、スナバーおよびクランプ要件に影響を与えます。
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