Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 99 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO252-3, IPD030N03LF2SATMA1

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RS品番:
349-429
メーカー型番:
IPD030N03LF2SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

99A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PG-TO252-3

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.05mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

16nC

最大許容損失Pd

83W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Infineon StrongIRFET 2 パワー MOSFET 30 V テクノロジーは、DPAK パッケージでクラス最高の 3 mOhm の RDS(on) を特徴としています。この製品は、低スイッチング周波数から高スイッチング周波数まで幅広い用途に対応します。

汎用製品

優れた堅牢性

配電ユニットで幅広く利用可能

標準パッケージとピンアウト

高い製造・供給基準

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