Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 30 V, 99 A, 3.05 mΩ, 16 nC, 3ピン, パッケージ:PG-TO252-3

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋10個入り) 小計:*

¥2,107.00

(税抜)

¥2,317.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
10 - 90¥210.70¥2,107
100 - 240¥200.40¥2,004
250 - 490¥185.50¥1,855
500 - 990¥170.90¥1,709
1000 +¥164.40¥1,644

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
349-429
メーカー型番:
IPD030N03LF2SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

99A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-TO252-3

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.05mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

16nC

最大許容損失Pd

83W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
Infineon StrongIRFET 2 パワー MOSFET 30 V テクノロジーは、DPAK パッケージでクラス最高の 3 mOhm の RDS(on) を特徴としています。この製品は、低スイッチング周波数から高スイッチング周波数まで幅広い用途に対応します。

汎用製品

優れた堅牢性

配電ユニットで幅広く利用可能

標準パッケージとピンアウト

高い製造・供給基準

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。