- RS品番:
- 463-329
- メーカー型番:
- BSS84LT1G
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- onsemi
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その他
詳細情報
ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | P |
最大連続ドレイン電流 | 130 mA |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 50 V |
パッケージタイプ | SOT-23 |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 10 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 2V |
最大パワー消費 | 225 mW |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
動作温度 Max | +150 °C |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
トランジスタ素材 | Si |
長さ | 2.9mm |
幅 | 1.3mm |
高さ | 0.94mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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