Nチャンネル STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 51 A 650 V, 表面 N, 7-Pin, STHU65N050DM9AG パッケージHU3PAK
- RS品番:
- 481-133
- メーカー型番:
- STHU65N050DM9AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 481-133
- メーカー型番:
- STHU65N050DM9AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 51A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | HU3PAK | |
| シリーズ | STHU65 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| トランジスタ構成 | Nチャンネル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 3.6mm | |
| 幅 | 14.1 mm | |
| 長さ | 11.9mm | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 51A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 HU3PAK | ||
シリーズ STHU65 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
トランジスタ構成 Nチャンネル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 3.6mm | ||
幅 14.1 mm | ||
長さ 11.9mm | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO(原産国):
- JP
STマイクロエレクトロニクスのNチャネル・パワーMOSFETは、最先端のスーパージャンクションMDmesh DM9技術に基づいて構築されており、中電圧から高電圧のアプリケーションに最適です。面積あたりのRDS(on)が極めて低く、高速回復ダイオードを内蔵している。先進的なシリコンベースのDM9プロセスは、マルチドレイン構造を特徴とし、デバイス全体の性能を向上させる。リカバリーチャージ(Qrr)が非常に低く、リカバリータイム(trr)が短く、RDS(on)が最小であるため、この高速スイッチングMOSFETは高効率ブリッジトポロジやZVS位相シフトコンバータに最適です。
低いゲート電荷と抵抗
100% アバランシェ試験済み
極めて高い dv/dt 耐久性
余分な駆動源ピンによる優れたスイッチング性能
AEC-Q101適合
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