STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 650 V, 26 A N, 表面, 7-Pin パッケージHU3PAK, STHU65N110DM9AG
- RS品番:
- 762-553
- メーカー型番:
- STHU65N110DM9AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
N
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- RS品番:
- 762-553
- メーカー型番:
- STHU65N110DM9AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 26A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | STHU65N1 | |
| パッケージ型式 | HU3PAK | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 110mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 78nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 14.1mm | |
| 長さ | 11.9mm | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 | |
| 高さ | 0.95mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 26A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ STHU65N1 | ||
パッケージ型式 HU3PAK | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 110mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 78nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 14.1mm | ||
長さ 11.9mm | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 | ||
高さ 0.95mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- JP
STMicroelectronics NチャンネルスーパージャンクションパワーMOSFETは、Advanced MDmesh M9スーパージャンクション技術に基づいた高効率電源デバイスです。低導電損失と高速スイッチングが重要な中高電圧用途向けに設計されています。
超低 FOM
高いDVD/DT容量
優れたスイッチング性能
100% アバランシェ試験済み
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