STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 650 V, 26 A N, 表面実装, 7-Pin パッケージHU3PAK, STHU65N110DM9AG

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RS品番:
762-553
メーカー型番:
STHU65N110DM9AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

26A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

HU3PAK

シリーズ

STHU65N1

取付タイプ

表面実装

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

N

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

最大許容損失Pd

179W

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

78nC

動作温度 Max

150°C

幅

14.1 mm

高さ

0.95mm

長さ

11.9mm

規格 / 承認

AEC-Q101

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
JP
STMicroelectronics NチャンネルスーパージャンクションパワーMOSFETは、Advanced MDmesh M9スーパージャンクション技術に基づいた高効率電源デバイスです。低導電損失と高速スイッチングが重要な中高電圧用途向けに設計されています。

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