Infineon MOSFET, Nチャンネル, 150 V, 85 A, 15 mΩ, 71 nC, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 495-568
- メーカー型番:
- IRFB4321PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1個小計：*
￥638
(税抜)
￥702
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 994 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 1 | ￥638 |
| 2 - 19 | ￥629 |
| 20 - 29 | ￥618 |
| 30 - 39 | ￥612 |
| 40 + | ￥601 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 495-568
- メーカー型番:
- IRFB4321PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 85A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 15mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 71nC | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -30V, +30V | |
| 最大許容損失Pd | 350W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.66mm | |
| 高さ | 9.02mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 4.82mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 85A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 15mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 71nC | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -30V, +30V | ||
最大許容損失Pd 350W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.66mm | ||
高さ 9.02mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 4.82mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧150V、最大連続ドレイン電流85A - IRFB4321PBF
このMOSFETは、過酷な環境での高電流スイッチング用に設計されたスルーホールパワートランジスタです。TO‐220パッケージで提供されるNチャンネル強化デバイスで、プリント基板実装が容易です。このコンポーネントは、産業環境に適した幅広い動作温度に対応し、RoHSに適合しています。
特長および利点：
• 350Wの最大消費電力により、高負荷処理が可能
• 15mΩ Rds(on)により、導通損失を最小限に抑制
• 71 nCの標準ゲート充電により、高速スイッチング制御をサポート
• 最大30Vのゲート-ソース電圧により、堅牢なゲート駆動を実現
• -55°C～175°Cの動作範囲で過酷な環境に耐える
• 15mΩ Rds(on)により、導通損失を最小限に抑制
• 71 nCの標準ゲート充電により、高速スイッチング制御をサポート
• 最大30Vのゲート-ソース電圧により、堅牢なゲート駆動を実現
• -55°C～175°Cの動作範囲で過酷な環境に耐える
用途
• 高電流電源出力段に最適
• モーター駆動スイッチングエレメントに最適
• 産業用システムのヒートシンクレギュレータと併用
• DC-DCコンバータスイッチングに使用可能
• レガシーボードのスルーホール交換に最適
• モーター駆動スイッチングエレメントに最適
• 産業用システムのヒートシンクレギュレータと併用
• DC-DCコンバータスイッチングに使用可能
• レガシーボードのスルーホール交換に最適
どのような実装方式を採用していますか？
スルーホール取り付けおよびヒートシンク用のTO‐220パッケージで提供されます。
どのようなチャンネルとスイッチングモードを使用しますか?
このデバイスは、電源回路で高速スイッチングを実現するために設計されたNチャンネルエンハンスメントモードトランジスタです。
ゲート電圧とドレイン電圧の制限は何ですか?
ゲートは最大30Vまで駆動可能で、ドレイン・ソース間電圧は150Vまで対応可能です。
どのくらいの連続電流に対応し、熱容量はどのくらいですか?
85Aの連続ドレイン電流に対応し、最大消費電力は350Wです。
使用に関する環境や認証の考慮事項はありますか?
このコンポーネントはRoHS要件に適合し、-55°C～175°Cの温度範囲で動作します。
関連ページ
- Infineon MOSFET 150 V 15 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 60 V 4 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 60 V パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 150 V 15 mΩ パッケージ：TO-263
- Infineon MOSFET 150 V 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 60 V 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 60 V 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 150 V 16 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-247