Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 180 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IRFB4110PBF

MOSFET・モスフェット の一覧へ
一時的に在庫切れ
RS品番:
495-578
メーカー型番:
IRFB4110PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

370W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

150nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.66mm

規格 / 承認

No

高さ

9.02mm

幅

4.82 mm

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流180A、最大許容損失370W - IRFB4110PBF


このMOSFETは、オートメーション、エレクトロニクス、電気産業などの用途に合わせた効率的なパワー・トランジスタとして機能する。その堅牢な構造と精密な仕様は、効率性と信頼性が不可欠な用途に汎用性の高いソリューションを提供します。エンハンスメントモード設計とNチャンネル構成により、高速スイッチング動作に適している。

特徴と利点


• 最大連続ドレイン電流180Aが高性能を支える

• ドレイン・ソース間電圧範囲は100Vで、様々なアプリケーションに対応可能

• 4.5mΩの低RDS(on)が電力損失を低減し、効率を高める

• 最大370Wの電力消費能力で安定性を確保

• 改善された熱特性が過酷な条件下での信頼性を高める

• アバランシェおよびダイナミックdv/dt耐性に関する完全な特性評価が耐久性を促進

用途


• 電源の高効率同期整流に採用

• 無停電電源装置に最適

• 高速パワースイッチング回路に最適

• ハードスイッチ回路や高周波回路に適用可能

最適な性能を発揮するための適切な使用温度範囲は？


55°Cから175°Cの範囲で効果的に動作し、さまざまな環境で機能性を発揮する。

MOSFETはどのようにして回路のエネルギー損失を最小にするのか？


4.5mΩという低いRDS(on)は導通損失を大幅に削減し、パワーエレクトロニクスでの効率的な動作を可能にする。

高周波用途に使用できますか？


また、高速スイッチングを容易にする設計のため、オン・オフの切り替えが速いアプリケーションに適している。

適切な取り付けのための熱抵抗値は？


ジャンクション-ケース間の熱抵抗は0.402℃/W、ケース-シンク間の熱抵抗は0.50℃/Wで、効果的な放熱を可能にしている。

使用中に考慮すべき雪崩の特性は？


シングル・パルス・アバランシェ・エネルギー定格をサポートし、過渡電圧スパイクに対する保護を提供し、回路設計の信頼性を確保します。

関連ページ