Microchip シングルMOSFET, NチャンネルDMOS FETチャンネル 9 V, 350 mA デプロイモード, 表面, 5-Pin パッケージSOT-23-5, LND250K1-G

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RS品番:
598-794
メーカー型番:
LND250K1-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
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ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

NチャンネルDMOS FET

最大連続ドレイン電流Id

350mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

9V

パッケージ型式

SOT-23-5

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4Ω

チャンネルモード

デプロイモード

最大許容損失Pd

360mW

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

動作温度 Min

-25°C

順方向電圧 Vf

1.8V

動作温度 Max

125°C

長さ

3.05mm

幅

1.75 mm

規格 / 承認

RoHS, ISO/TS‑16949

高さ

1.3mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
TH
Microchipの高電圧Nチャンネル消耗モード(通常オン)トランジスタは、側面DMOS技術を採用しています。ゲートはESD保護されている。LND250は、通常オンスイッチ、精密定常電流源、電圧ランプ発生、増幅などの高電圧用途に最適です。

二次故障の心配なし

低電力駆動要件

パラレリングの容易さ

優れた熱安定性

一体型ソース・ドレイン・ダイオード

高入力インピーダンスと低CISS

ESDゲート保護

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