Microchip シングルMOSFET, NチャンネルDMOS FETチャンネル 9 V, 350 mA デプロイモード, 表面, 5-Pin パッケージSOT-23-5, MIC94050YM4-TR

N

1 リール(1リール3000個入り) 小計:*

¥335,685.00

(税抜)

¥369,252.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年2月23日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
3000 +¥111.895¥335,685

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
599-040
メーカー型番:
MIC94050YM4-TR
メーカー/ブランド名:
Microchip
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Microchip

チャンネルタイプ

NチャンネルDMOS FET

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

350mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

9V

パッケージ型式

SOT-23-5

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4Ω

チャンネルモード

デプロイモード

最大許容損失Pd

360mW

動作温度 Min

-25°C

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

順方向電圧 Vf

1.8V

動作温度 Max

125°C

規格 / 承認

RoHS, ISO/TS‑16949

長さ

3.05mm

1.75 mm

高さ

1.3mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
TH
Microchip 4端子シリコンゲートPチャンネルMOSFETは、コンパクトなパッケージで低オン抵抗を実現します。スペースが重要なハイサイドスイッチ用途向けに設計されており、通常、4.5 Vのゲート-ソース電圧で0.125 Ωのオン抵抗を発揮します。このMOSFETは、最低1.8 Vのゲート-ソース電圧で動作します。

1.8 Vのゲートツーソース電圧で動作

独立した基板接続により、逆ブロッキングが可能

関連ページ