onsemi シングルMOSFET, タイプNチャンネル, 40 V, 65 A, 4.9 mΩ, 10.4 nC, 8ピン, パッケージ：WDFN8
- RS品番:
- 648-506
- メーカー型番:
- NTTFS4D9N04XMTAG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 65A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | WDFN8 | |
| シリーズ | NTT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 38W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS, Pb-Free | |
| 幅 | 3.3mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 65A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 WDFN8 | ||
シリーズ NTT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10.4nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 38W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 3.3mm | ||
規格 / 承認 RoHS, Pb-Free | ||
幅 3.3mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
ON Semiconductor最新の40 V標準ゲートレベルパワーMOSFET技術は、モータドライバ用途向けのクラス最高のオン抵抗を備えています。より低いオン抵抗とより少ないゲート電荷により、導通損失と駆動損失を低減することができる。ボディダイオードの逆回復のための良好なソフトネス制御は、アプリケーションの余分なスナバ回路なしで電圧スパイクストレスを軽減することができます。
低 RDS(on)
低容量
3.3 x 3.3 mmの小型フットプリント
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