onsemi MOSFET, タイプNチャンネル, 80 V, 68 A, 9.5 mΩ, 3.6 nC, 8ピン, パッケージ：WDFN
- RS品番:
- 178-4439
- メーカー型番:
- NTTFS6H850NTAG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 178-4439
- メーカー型番:
- NTTFS6H850NTAG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 68A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | WDFN | |
| シリーズ | NTTFS6H850N | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 107W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 長さ | 3.15mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 68A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 WDFN | ||
シリーズ NTTFS6H850N | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 107W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.6nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 0.75mm | ||
長さ 3.15mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
3 x 3 mmフラットリードパッケージの業務用パワーMOSFETです。コンパクトかつ効率的な設計で、優れた熱特性を発揮します。
特長
低オン抵抗
低ゲートチャージ
省スペース(3 x 3 mm)
利点
導電損失を最小化
スイッチング損失を最小化
小型設計
用途
逆バッテリ保護
パワースイッチ(ハイサイドドライバ、ローサイドドライバ、Hブリッジなど)
同期整流
最終製品
モータ制御
電池管理
スイッチング電源
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