型番

Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 136 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK, SQJQ114EL-T1_GE3

RS品番:: 653-071
メーカー型番:: SQJQ114EL-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 136 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK, SQJQ114EL-T1_GE3

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RS品番:: 653-071
メーカー型番:: SQJQ114EL-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	シングルMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	136A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	PowerPAK
	シリーズ	SQJQ114EL
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.0055Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	158nC
	順方向電圧 Vf	1.1V
	最大許容損失Pd	277W
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	動作温度 Max	175°C
	長さ	8mm
	高さ	1.9mm
	幅	8 mm
	規格 / 承認	AEC-Q101
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプシングルMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 136A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 PowerPAK
	シリーズ SQJQ114EL
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0055Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 158nC
	順方向電圧 Vf 1.1V
	最大許容損失Pd 277W
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	動作温度 Max 175°C
	長さ 8mm
	高さ 1.9mm
	幅 8 mm
	規格 / 承認 AEC-Q101
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - SQJQ114EL-T1_GE3

COO（原産国）:: CN

Vishay自動車グレードNチャンネルMOSFETは、過酷な環境での高効率電源スイッチングに最適化されています。最大100 Vのドレインソース電圧をサポートし、最大175 °Cのジャンクション温度で信頼性の高い動作を実現します。PowerPAK 8x8Lパッケージに収納され、TrenchFET Gen IVテクノロジーを活用して優れた熱性能と電気性能を発揮します。

AEC Q101適合

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 136 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK, SQJQ114EL-T1_GE3

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