Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 19.6 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK, SQJ190ELP-T1_GE3

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RS品番:
653-119
メーカー型番:
SQJ190ELP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

19.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PowerPAK

シリーズ

SQJ190

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.058Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

45W

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

AEC-Q101

長さ

5.13mm

高さ

1.07mm

幅

6.22 mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay自動車グレードNチャンネルMOSFETは、電力密度の高い環境での高効率スイッチング向けに設計されています。最大100 Vのドレインソース電圧をサポートし、最大175 °Cのジャンクション温度で信頼性の高い動作を実現します。PowerPAK SO-8Lに組み込まれており、TrenchFETテクノロジーを採用し、熱性と電気性能を最適化します。

AEC Q101適合

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

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