ローム シングルMOSFET, タイプNチャンネル 80 V エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263AB-3LSHYAD, RJ1N04BBHTL1

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RS Stock No.:
687-400
Mfr. Part No.:
RJ1N04BBHTL1
Brand:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

TO-263AB-3LSHYAD

シリーズ

RJ1N04BBHT

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

46nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

89W

動作温度 Max

150°C

高さ

4.77mm

規格 / 承認

RoHS

幅

10.36 mm

長さ

15.5mm

自動車規格

なし

COO (Country of Origin):
JP
ロームのNチャンネルパワーMOSFETは、要求の厳しい用途で卓越した効率を発揮するように設計されています。最大ドレインソース間電圧は 80V、連続ドレイン電流は 100A で、さまざまな回路で効果的なスイッチング作業を行うために設計されており、モータードライブやDC/DCコンバータに最適です。5.3 mΩの低オン抵抗により、エネルギー損失が最小限に抑えられ、高出力条件下での熱管理が向上し、信頼性の高い動作を実現します。RoHS基準に準拠したこの装置は、環境要件を満たすだけでなく、多様な電子機器におけるエンドユーザーに高い信頼性と安全性を保証します。

低オン抵抗により、効果的な電力管理と熱負荷の低減を実現

±100Aの連続ドレイン電流に対応し、高性能設計に最適

100 % RgおよびUISテストを含む堅牢性のための包括的なテスト

鉛フリーメッキにより、国際環境基準への準拠を保証

ハロゲンフリー構造で環境サステナビリティに貢献

堅牢な梱包仕様、エンボステープを含む、信頼性の高い輸送と保管

-55～+150°Cの動作温度範囲により、多様な環境下での動作に柔軟性を発揮

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