ローム MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 120 A エンハンスメント型, 表面実装, 3-Pin パッケージTO-263AB, RJ1L12BGNTLL
- RS品番:
- 183-6004
- メーカー型番:
- RJ1L12BGNTLL
- メーカー/ブランド名:
- ローム
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|---|---|---|
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- RS品番:
- 183-6004
- メーカー型番:
- RJ1L12BGNTLL
- メーカー/ブランド名:
- ローム
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ローム | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 120A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-263AB | |
| シリーズ | RJ1L12BGN | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.1mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 175nC | |
| 最大許容損失Pd | 192W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 9.2 mm | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 高さ | 4.7mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ローム | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 120A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-263AB | ||
シリーズ RJ1L12BGN | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.1mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 175nC | ||
最大許容損失Pd 192W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 9.2 mm | ||
長さ 10.4mm | ||
高さ 4.7mm | ||
- COO（原産国）:
- KP
RJ1L12BGNは、低オン抵抗の小型表面実装パッケージMOSFETです。
低オン抵抗
ハイパワー小型モールドパッケージ
鉛フリーリードめっき
ハロゲンフリー