ローム シングルMOSFET, タイプPチャンネル -40 V エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN3333T8LSAB, RH7G04BBJFRATCB

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梱包形態
RS品番:
687-447
メーカー型番:
RH7G04BBJFRATCB
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

シリーズ

RH7G04BBJFRAT

パッケージ型式

DFN3333T8LSAB

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

50nC

最大許容損失Pd

75W

最大ゲートソース電圧Vgs

5 V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

長さ

3.4mm

幅

3.4 mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
JP
ロームのパワーMOSFETは、要求の厳しい用途で堅牢な性能を発揮するように設計されており、卓越した効率性と信頼性を提供します。最大ドレインソース電圧は -40V で、連続ドレイン電流は最大 40A に達するため、このコンポーネントは電源管理に優れています。わずか 11.9mΩ の低オン抵抗により、エネルギー効率が向上し、自動車および産業システムに理想的な選択肢となります。-55～175°Cの温度に耐えるよう設計されたこのMOSFETは、幅広い条件下での耐久性と安定性を保証し、AEC-Q101認定は自動車環境に適していることを示し、デバイスの安全性と有効性の向上に貢献します。

信頼性の高い自動車用途のためのAEC Q101認定

100% アバランシェ試験済みで、過酷な条件下での安全性を向上

低熱抵抗ジャンクションケースにより、効率的な放熱を実現

広い動作温度範囲により、過酷な環境でも性能の安定性を保証

オン状態の抵抗を最小限に抑え、エネルギー効率を最適化し、全体的な電力損失を低減

高速スイッチング用途に最適化された静電容量特性により、性能を向上

ウェッタブルフランク設計により、信頼性の高いはんだ付けと組み立て品質の向上を実現

ADAS、照明、ボディ制御システムなど、さまざまな用途に最適

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