ローム シングルMOSFET, タイプNチャンネル 40 V エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN3333T8LSAB, RH7G04CBKFRATCB

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梱包形態
RS品番:
687-450
メーカー型番:
RH7G04CBKFRATCB
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

RH7G04CBKFRA

パッケージ型式

DFN3333T8LSAB

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.0mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

62W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.1nC

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

幅

3.4 mm

長さ

3.4mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
JP
ローム NチャンネルパワーMOSFETは、要求の厳しい用途で効率的に動作するように設計されています。最大ドレインソース間電圧40V、最大40Aの連続ドレイン電流能力を備えたこのコンポーネントは、パワースイッチングや増幅作業に優れています。5.0mΩの低オン抵抗により、動作中の電力損失を最小限に抑え、自動車および産業用途に最適です。AEC-Q101に準拠したこの装置は、100%アバランシェテストで信頼性の高い性能を発揮し、さまざまな動作条件下での安全性と耐久性を保証します。

低オン抵抗で高効率に設計され、発熱を低減

AEC Q101 認定で、自動車規格の信頼性を保証

過渡条件下での安全性を高める100%アバランシェ試験済み

要求の厳しい用途向けに最大40 Aの連続ドレイン電流能力

ジャンクションの動作温度範囲: -55 → +175 °Cで、汎用性に優れています。

ADAS、照明、ボディエレクトロニクスの用途に最適

厳しい品質管理対策に準拠し、信頼性の高い性能を実現

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