ローム シングルMOSFET, タイプPチャンネル -40 V エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージDFN3333T8LSAB, RH7G04CBJFRATCB

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梱包形態
RS品番:
687-463
メーカー型番:
RH7G04CBJFRATCB
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

パッケージ型式

DFN3333T8LSAB

シリーズ

RH7G04CBJFRA

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

17.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

5 V

最大許容損失Pd

62W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

33nC

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

3.4mm

幅

3.4 mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
JP
ロームパワーMOSFETは、要求の厳しい用途で卓越した性能を発揮するように設計されています。このコンポーネントは、高効率スイッチング用に特別に設計されており、自動車、照明、その他の高信頼性システムに最適です。RH7G04CBJFRAは、62Wの最大消費電力と驚異的な±40Aの連続ドレイン電流を含む堅牢な熱特性により、さまざまな条件下で信頼性の高い動作を保証します。さらに、このMOSFETは、アバランシェテストやAEC-Q101認定などの高度な機能を統合し、重要な環境での安全性と耐久性を保証します。

17.7mΩの低オン抵抗で効率を向上

最大±80 Aのパルスドレイン電流を供給し、高性能用途を実現

はんだ接合の信頼性を高めるため、ウェッタブルフランクを使用

頑丈な耐熱性により、重い負荷下でも性能を維持

-55～+175°Cの幅広い温度範囲で効果的に動作

安全性を高める100%アバランシェテスト仕様付き

ADASや自動車照明など、さまざまな用途に使用

ユーザーフレンドリーな統合のための詳細なパッケージ仕様

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