Name: STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 1200 V, 56 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージHip-247-4, SCT025W120G3-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 719-470
Price: 2963.40 JPY
Availability: Discontinued

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	チャンネルタイプ	N チャネル
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	56A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	1200V
	パッケージ型式	Hip-247-4
	シリーズ	Sct
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	27mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	388W
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	73nC
	順方向電圧 Vf	2.7V
	動作温度 Max	175°C
	高さ	25.27mm
	長さ	15.9mm

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	チャンネルタイプ N チャネル
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 56A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V
	パッケージ型式 Hip-247-4
	シリーズ Sct
	取付タイプスルーホール
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 27mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 388W
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 73nC
	順方向電圧 Vf 2.7V
	動作温度 Max 175°C
	高さ 25.27mm
	長さ 15.9mm

Datasheet - SCT025W120G3-4

COO（原産国）:: CN

STMicroelectronicsシリコンカーバイドパワーMOSFETデバイスは、STの先進的で革新的な第3世代SiC MOSFET技術を使用して開発されています。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズおよび重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。

全温度範囲にわたって非常に低いRDS(on)

高速スイッチング性能

非常に高速で堅牢なボディダイオード

非常に高い動作ジャンクション温度能力(TJ = 200 °C)

効率を高めるソース検知ピン

STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 1200 V, 56 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージHip-247-4, SCT025W120G3-4

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