STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 56 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージHip-247, SCT025W120G3AG

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RS品番:
215-071
メーカー型番:
SCT025W120G3AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

56A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

SCT

パッケージ型式

Hip-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

27mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

73nC

最大許容損失Pd

388W

動作温度 Max

200°C

高さ

5mm

長さ

34.8mm

幅

15.6 mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

STマイクロエレクトロニクスの炭化ケイ素パワーMOSFETデバイスは、STの先進的かつ革新的な第3世代SiC MOSFET技術を用いて開発されました。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズ、重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。

高速スイッチング性能

非常に高速で堅牢なボディダイオード

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