DiodesZetex MOSFET, N チャネルチャンネル 50 V, 0.31 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, BSS138K-13

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RS品番:
719-499
メーカー型番:
BSS138K-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
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ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

0.31A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

50V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

BSS138K

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

0.54W

動作温度 Min

-50°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.95nC

動作温度 Max

150°C

2.5mm

高さ

1.1mm

長さ

3mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
DiodesZetex Nチャンネル強化モードMOSFETは、高効率電力管理用途で優れた性能を発揮するように設計されています。最大50 Vのドレインソース電圧と低オン抵抗特性により、このデバイスは最小限の電力損失と効率的な動作を保証します。低入力静電容量と高速スイッチング速度など、さまざまな高度な機能を備えたこのMOSFETは、信頼性と環境規格に準拠する必要がある自動化ソリューションでの使用に特に適しています。自動車用途に適した頑丈な設計により、現代の電子システムに汎用性の高い選択肢となっています。

低オン抵抗により、効率的な電力管理を実現

高速スイッチング速度により、高周波用途を容易に

AEC-Q100準拠の自動車用の信頼性向けに設計

RoHSに準拠し、ハロゲンやアンチモニウムを含まず、環境に優しいイニシアチブをサポート

全鉛フリーアセンブリは、厳しい環境規制に準拠

1の湿気感度レベルにより、変動条件下でも信頼性を確保

テープパッケージとリールパッケージを用意し、製造プロセスを簡素化

ESD保護ゲートにより、放電に対する耐久性を向上

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